IPQC65R017CFD7XTMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPQC65R017CFD7XTMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPQC65R017CFD7XTMA1-DG

Description:

HIGH POWER_NEW
Description détaillée:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22

Inventaire:

13373442
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SOUMETTRE

IPQC65R017CFD7XTMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
136A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12338 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
694W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HDSOP-22
Emballage / Caisse
22-PowerBSOP Module
Numéro de produit de base
IPDQ65

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
750
Autres noms
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPQC65R017CFD7AXTMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
PRIX UNITAIRE
13.09
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IPDQ65R017CFD7XTMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
PRIX UNITAIRE
13.19
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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