Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB1R4CH
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB1R4CH-DG
Description:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
13374221
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SOUMETTRE
TSM60NB1R4CH Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
257.3 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
TSM60
Informations supplémentaires
Forfait standard
15,000
Autres noms
1801-TSM60NB1R4CH
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STU6N65M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
543
NUMÉRO DE PIÈCE
STU6N65M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
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