TSM60NB380CH
Numéro de produit du fabricant:

TSM60NB380CH

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM60NB380CH-DG

Description:

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventaire:

13374190
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

TSM60NB380CH Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
795 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
TSM60

Informations supplémentaires

Forfait standard
15,000
Autres noms
1801-TSM60NB380CH

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-

vishay

SIRS4301DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay

SISS4402DN-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE