Numéro de produit du fabricant:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Fabricant:
CoolCAD
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CC-C2-B15-0322-DG
Description:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
30 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13373452
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SOUMETTRE
CC-C2-B15-0322 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
Emballage
Bulk
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+15V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1810 pF @ 200 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5
Autres noms
3892-CC-C2-B15-0322
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER