Numéro de produit du fabricant:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Description:
HIGH POWER_NEW
Description détaillée:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventaire:
13004367
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SOUMETTRE
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
136A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12338 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
694W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HDSOP-22-1
Emballage / Caisse
22-PowerBSOP Module
Numéro de produit de base
IPDQ65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
750
Autres noms
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSFN6907
MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
GSF0500AT
MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
TP5335MF-G-VAO
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
