Numéro de produit du fabricant:
SIHF35N60E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHF35N60E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
13006350
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SOUMETTRE
SIHF35N60E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
94mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2760 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
SIHF35
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STF43N60DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
911
NUMÉRO DE PIÈCE
STF43N60DM2-DG
PRIX UNITAIRE
2.82
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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