Numéro de produit du fabricant:
SIHB6N80E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB6N80E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
13006418
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SOUMETTRE
SIHB6N80E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
827 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB7ANM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB7ANM60N-DG
PRIX UNITAIRE
0.60
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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