SQJ488EP-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJ488EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJ488EP-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

3878 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13006422
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SOUMETTRE

SQJ488EP-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
42A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
979 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SQJ488

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
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