Numéro de produit du fabricant:
SIR124DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR124DP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
7530 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13006513
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SOUMETTRE
SIR124DP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1666 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR124
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
Produits Connexes
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
