SIHG47N60AEL-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHG47N60AEL-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHG47N60AEL-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaire:

14 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13006601
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SOUMETTRE

SIHG47N60AEL-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
EL
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4600 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
379W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG47

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STW58N65DM2AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STW58N65DM2AG-DG
PRIX UNITAIRE
7.29
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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