Numéro de produit du fabricant:
SI1480BDH-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1480BDH-T1-GE3-DG
Description:
N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Description détaillée:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
2965 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001164
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SOUMETTRE
SI1480BDH-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
212mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
206 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1480
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI1480BDH-T1-GE3CT
742-SI1480BDH-T1-GE3DKR
742-SI1480BDH-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
630AT
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4