PMCA14UNYL
Numéro de produit du fabricant:

PMCA14UNYL

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMCA14UNYL-DG

Description:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Description détaillée:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 1.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount DSN1010-3

Inventaire:

5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001173
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SOUMETTRE

PMCA14UNYL Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 3.3 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
855 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DSN1010-3
Emballage / Caisse
3-XDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
1727-PMCA14UNYLDKR
1727-PMCA14UNYLCT
934661653315
5202-PMCA14UNYLTR
1727-PMCA14UNYLTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMWS120H100SM4

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

goford-semiconductor

G110N06T

MOSFET N-CH 60V 110A TO-220

infineon-technologies

IST015N06NM5AUMA1

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V

infineon-technologies

IRFP4668PBFXKMA1

TRENCH >=100V PG-TO247-3