Numéro de produit du fabricant:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMWS120H100SM4-DG
Description:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
2 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001177
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SOUMETTRE
DMWS120H100SM4 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1516 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
DMWS120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
31-DMWS120H100SM4
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
