Numéro de produit du fabricant:
630AT
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
630AT-DG
Description:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
87 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001168
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SOUMETTRE
630AT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
509 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
3141-630AT
4822-630AT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
630AT
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
87
NUMÉRO DE PIÈCE
630AT-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
