Numéro de produit du fabricant:
IPDQ60R022S7AXTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPDQ60R022S7AXTMA1-DG
Description:
MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventaire:
750 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13371948
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SOUMETTRE
IPDQ60R022S7AXTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5640 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
416W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HDSOP-22-1
Emballage / Caisse
22-PowerBSOP Module
Numéro de produit de base
IPDQ60R
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
750
Autres noms
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TQM070NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G130N06S
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
IPQC65R017CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
