Numéro de produit du fabricant:
G130N06S
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G130N06S-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Description détaillée:
N-Channel 9A (Tc) 2.6W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
8000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13373439
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
G130N06S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G130N06STR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
IPQC65R017CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
