Numéro de produit du fabricant:
G130N06M
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G130N06M-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Description détaillée:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
12993058
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SOUMETTRE
G130N06M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,600
Autres noms
4822-G130N06MTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G130N06M
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
780
NUMÉRO DE PIÈCE
G130N06M-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH12H007SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMP3007LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060