Numéro de produit du fabricant:
DMP27M1UPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP27M1UPSW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Description détaillée:
P-Channel 20 V 84A (Tc) 1.95W (Ta), 3.57W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
12993066
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SOUMETTRE
DMP27M1UPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
84A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4777 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMP27
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMP27M1UPSW-13
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMPH16M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMTH10H032SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMN31D5UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
