DMPH16M1UPSW-13
Numéro de produit du fabricant:

DMPH16M1UPSW-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMPH16M1UPSW-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Description détaillée:
N-Channel 12 V 96A (Tc) 1.95W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventaire:

12993067
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SOUMETTRE

DMPH16M1UPSW-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
96A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5392 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.95W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMPH16

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMPH16M1UPSW-13

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

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MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50

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40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8