Numéro de produit du fabricant:
G130N06M
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G130N06M-DG
Description:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Description détaillée:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
780 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13309548
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SOUMETTRE
G130N06M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2867 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G130N06M
FABRICANT
Goford Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
780
NUMÉRO DE PIÈCE
G130N06M-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
