Numéro de produit du fabricant:
DMTH8008LPSQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH8008LPSQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventaire:
2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000839
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SOUMETTRE
DMTH8008LPSQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
91A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2345 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH8008LPSQ-13DKR
31-DMTH8008LPSQ-13CT
31-DMTH8008LPSQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM60NB260CI
600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G65P06T
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
