Numéro de produit du fabricant:
DMT69M5LFVWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT69M5LFVWQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Description détaillée:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
13000877
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SOUMETTRE
DMT69M5LFVWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1406 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMT69M5LFVWQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT69M5LFVWQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT69M5LFVWQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
