Numéro de produit du fabricant:
DMTH4M70SPGW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH4M70SPGW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Description détaillée:
N-Channel 40 V 460A (Tc) 5.6W (Ta), 428W (Tc) Surface Mount PowerDI8080-5
Inventaire:
13000873
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SOUMETTRE
DMTH4M70SPGW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
460A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
117.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10053 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI8080-5
Emballage / Caisse
SOT-1235
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMTH4M70SPGW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH4M70SPGWQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2845
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH4M70SPGWQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
1.67
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M