Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB260CI
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB260CI-DG
Description:
600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventaire:
13000842
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SOUMETTRE
TSM60NB260CI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1273 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM60NB260CI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
G65P06T
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
