SUD35N10-26P-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SUD35N10-26P-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SUD35N10-26P-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Description détaillée:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

1990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12966513
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SUD35N10-26P-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD35

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
SUD35N10-26P-GE3TR
SUD35N10-26P-GE3DKR
SUD35N10-26P-GE3CT
SUD35N1026PGE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SUD35N10-26P-BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1835
NUMÉRO DE PIÈCE
SUD35N10-26P-BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.82
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
SUD35N10-26P-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
310
NUMÉRO DE PIÈCE
SUD35N10-26P-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD86102
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
9890
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD86102-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
littelfuse

IXTQ48N65X2M

DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P

littelfuse

IXTH2N150

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

diodes

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10