Numéro de produit du fabricant:
DMTH8001STLWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH8001STLWQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Description détaillée:
N-Channel 80 V 270A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8
Inventaire:
3083 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12966552
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SOUMETTRE
DMTH8001STLWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
270A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8894 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
POWERDI1012-8
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
31-DMTH8001STLWQ-13CT
31-DMTH8001STLWQ-13DKR
31-DMTH8001STLWQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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