Numéro de produit du fabricant:
IXTQ48N65X2M
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTQ48N65X2M-DG
Description:
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Description détaillée:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12966522
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SOUMETTRE
IXTQ48N65X2M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
238-IXTQ48N65X2M
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTH2N150
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
