Numéro de produit du fabricant:
SIHP105N60EF-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHP105N60EF-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12918191
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SOUMETTRE
SIHP105N60EF-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
EF
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1804 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP105
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG105N60EF-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
463
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG105N60EF-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.84
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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