Numéro de produit du fabricant:
SI3493DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3493DV-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
12918194
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SOUMETTRE
SI3493DV-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3493
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3493BDV-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
15439
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3493BDV-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC604P
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
912
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC604P-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC608PZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
8750
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC608PZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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