Numéro de produit du fabricant:
SQS482EN-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQS482EN-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
7987 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12918201
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SQS482EN-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1865 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SQS482
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQS482EN-T1_GE3-DG
SQS482EN-T1_GE3CT
SQS482EN-T1-GE3
SQS482EN-T1_GE3TR
SQS482EN-T1_GE3DKR
SQS482EN-T1-GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQA401EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.75A PPAK SC70
SQM40020EL_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
SI5411EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
