SIHA15N80AEF-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHA15N80AEF-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHA15N80AEF-GE3-DG

Description:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventaire:

1020 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965698
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SIHA15N80AEF-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
350mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1128 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
742-SIHA15N80AEF-GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

R6535KNX3C16

650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R2A08QM,S4X

UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

vishay-siliconix

SQJ186EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

vishay-siliconix

SI7386DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8