Numéro de produit du fabricant:
SI7386DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7386DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
32706 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965737
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI7386DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SI7386
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7386DP-T1-GE3DKR
SI7386DP-T1-GE3TR
SI7386DP-T1-GE3CT
SI7386DPT1GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TK6R8A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
