SQJ186EP-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJ186EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJ186EP-T1_GE3-DG

Description:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Description détaillée:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

2779 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965731
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SOUMETTRE

SQJ186EP-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1942 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ186EP-T1_GE3DKR
742-SQJ186EP-T1_GE3TR
742-SQJ186EP-T1_GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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