Numéro de produit du fabricant:
SI8425DB-T1-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8425DB-T1-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 5.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Inventaire:
900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12917207
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SOUMETTRE
SI8425DB-T1-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-WLCSP (1.6x1.6)
Emballage / Caisse
4-UFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base
SI8425
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8425DB-T1-E1CT
SI8425DB-T1-E1DKR
SI8425DB-T1-E1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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