Numéro de produit du fabricant:
SI4418DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4418DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 200 V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12917208
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SOUMETTRE
SI4418DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4418
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4418DY-T1-E3TR
SI4418DYT1E3
SI4418DY-T1-E3DKR
SI4418DY-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS2670
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
2359
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS2670-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4490DY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1467
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4490DY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.84
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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