Numéro de produit du fabricant:
SI1470DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI1470DH-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventaire:
12917226
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SOUMETTRE
SI1470DH-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
SI1470
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI1470DH-T1-GE3DKR
SI1470DH-T1-GE3TR
SI1470DHT1GE3
SI1470DH-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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