Numéro de produit du fabricant:
SI7615BDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7615BDN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Description détaillée:
P-Channel 20 V 29A (Ta), 104A (Tc) 5.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
12986913
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SOUMETTRE
SI7615BDN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 104A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4890 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.2W (Ta), 66W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7615
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SI7615BDN-T1-GE3TR
742-SI7615BDN-T1-GE3CT
742-SI7615BDN-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH4014LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMTH4001SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
NVMFWS0D5N04XMT1G
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
