NVMFWS0D5N04XMT1G
Numéro de produit du fabricant:

NVMFWS0D5N04XMT1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMFWS0D5N04XMT1G-DG

Description:

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Description détaillée:
N-Channel 40 V 423A (Tc) 163W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

Inventaire:

12986935
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

NVMFWS0D5N04XMT1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
423A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.52mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
163W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFWS0D5N04XMT1GTR
488-NVMFWS0D5N04XMT1GDKR
488-NVMFWS0D5N04XMT1GCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NTHL025N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V

onsemi

NTTFS6H860NTAG

TRENCH 8 80V NFET

vishay-siliconix

SIR184LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

diodes

DMT67M8LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2