NTHL025N065SC1
Numéro de produit du fabricant:

NTHL025N065SC1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTHL025N065SC1-DG

Description:

SIC MOS TO247-3L 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 99A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaire:

208 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12986941
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SOUMETTRE

NTHL025N065SC1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
99A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 15.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3480 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
348W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
NTHL025N065SC1

Informations supplémentaires

Forfait standard
450
Autres noms
488-NTHL025N065SC1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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