Numéro de produit du fabricant:
HN1C03F-B(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN1C03F-B(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventaire:
12890747
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SOUMETTRE
HN1C03F-B(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
300mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
350 @ 4mA, 2V
Puissance - Max
300mW
Fréquence - Transition
30MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SM6
Numéro de produit de base
HN1C03
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1C03F-B(TE85LF)TR
HN1C03F-B(TE85LF)CT
HN1C03F-B(TE85LF)DKR
HN1C03F-B (TE85L,F)
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IMX25T110
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
6202
NUMÉRO DE PIÈCE
IMX25T110-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
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