HN1A01FE-Y,LF
Numéro de produit du fabricant:

HN1A01FE-Y,LF

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HN1A01FE-Y,LF-DG

Description:

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventaire:

4000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890832
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SOUMETTRE

HN1A01FE-Y,LF Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
100mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
HN1A01

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
HN1A01FE-YLF(BTR
HN1A01FE-Y,LF(T
HN1A01FE-YLF(BDKR
HN1A01FE-Y(T5L,F,T
HN1A01FE-Y(T5LFTTR-DG
HN1A01FE-Y,LF(B
HN1A01FE-Y(T5LFTDKR-DG
HN1A01FE-Y(T5LFTTR
HN1A01FE-YLFTR
HN1A01FEYLFTR
HN1A01FE-YLF(BDKR-DG
HN1A01FE-Y(T5LFTCT-DG
HN1A01FE-YLF(BCT
HN1A01FEYLFTR-DG
HN1A01FE-YLFDKR
HN1A01FE-YLF(BTR-DG
HN1A01FE-YLF(BCT-DG
HN1A01FE-YLFCT
HN1A01FE-Y(T5LFTDKR
HN1A01FE-Y(T5LFTCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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