Numéro de produit du fabricant:
HN2A01FE-GR(TE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN2A01FE-GR(TE85LF-DG
Description:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 800MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
12890878
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Quantité
Minimum 1
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Q3WZ
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SOUMETTRE
HN2A01FE-GR(TE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
100mW
Fréquence - Transition
800MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
HN2A01
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
HN2A01FE-GR(TE85LFTR
HN2A01FE-GR(TE85LFDKR
HN2A01FE-GR(TE85LFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BC857BV,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
23451
NUMÉRO DE PIÈCE
BC857BV,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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