Numéro de produit du fabricant:
SCT4018KRC15
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT4018KRC15-DG
Description:
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 81A (Tc) 312W Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
4917 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976118
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SOUMETTRE
SCT4018KRC15 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
81A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
23.4mOhm @ 42A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 22.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+21V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4532 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
312W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
SCT4018
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-SCT4018KRC15
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
APT10M11LVRG
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
TD134N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
RF1S23N06LE
23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
