Numéro de produit du fabricant:
APT10M11LVRG
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT10M11LVRG-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Description détaillée:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 (L)
Inventaire:
28 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976131
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SOUMETTRE
APT10M11LVRG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
POWER MOS V®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-264 (L)
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
APT10M11
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Autres noms
150-APT10M11LVRG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TD134N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
RF1S23N06LE
23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
R6024VNXC7G
600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
