RF1S23N06LE
Numéro de produit du fabricant:

RF1S23N06LE

Product Overview

Fabricant:

Harris Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RF1S23N06LE-DG

Description:

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Description détaillée:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

Inventaire:

2400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976139
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SOUMETTRE

RF1S23N06LE Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 23A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK (TO-262)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
423
Autres noms
HARHARRF1S23N06LE
2156-RF1S23N06LE

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
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