Numéro de produit du fabricant:
RS1P600BHTB1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS1P600BHTB1-DG
Description:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaire:
2440 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976099
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SOUMETTRE
RS1P600BHTB1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4080 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1P
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-RS1P600BHTB1TR
846-RS1P600BHTB1CT
846-RS1P600BHTB1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1P600BHTB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2440
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1P600BHTB1-DG
PRIX UNITAIRE
1.25
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SCT4062KRC15
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE