RQ7L055BGTCR
Numéro de produit du fabricant:

RQ7L055BGTCR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RQ7L055BGTCR-DG

Description:

NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventaire:

2970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976106
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SOUMETTRE

RQ7L055BGTCR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
29mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
460 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT8
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
RQ7L055

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RQ7L055BGTCRTR
846-RQ7L055BGTCRCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RQ7L055BGTCR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2970
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ7L055BGTCR-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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