Numéro de produit du fabricant:
R6007JNXC7G
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6007JNXC7G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
2019 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527079
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
R6007JNXC7G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
475 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6007
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R8008ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252