Numéro de produit du fabricant:
RSC002P03T316
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RSC002P03T316-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Description détaillée:
P-Channel 30 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Inventaire:
51619 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527096
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SOUMETTRE
RSC002P03T316 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
30 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SST3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
RSC002
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RSC002P03T316CT
RSC002P03T316DKR
RSC002P03T316TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RAQ045P01MGTCR
1.5V DRIVE PCH MOSFET
