Numéro de produit du fabricant:
RD3T100CNTL1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RD3T100CNTL1-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Description détaillée:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527105
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SOUMETTRE
RD3T100CNTL1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RD3T100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RD3T100CNTL1CT
RD3T100CNTL1DKR
RD3T100CNTL1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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